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6G對射頻器件的需求如何?

2020-11-26 16:22 次閲讀

比利時imec的“AdvancedRF”計劃是一項競爭前的研究計劃,旨在為5G以上和100GHz以上的設備,系統和網絡創建路線圖。

該計劃將研究使用由化合物和CMOS半導體制成的混合IC,以在100GHz以上的載頻上實現非常高的帶寬和能效。imec將尋求多個合作伙伴資助和參與這項工作,並共同製作原型,以展示各種電路和系統的潛力。它已經是EUTaranto項目的一部分,該項目生產了緊湊的140GHz無線電模塊,該模塊可實現高達80Gbit/s的單鏈路數據速率。

6G對射頻器件的需求如何?

“還有6G上的確切特性和性能規格一些討論,因為實際的標準化工作尚未開始,”IMEC的的連通域副總裁MichaelPeeters在R&d活動的一份聲明中説。“不過,顯而易見的是,下一代無線網絡將大大超過上一代。預計的功能包括100Gbit/s的單鏈路吞吐量,微秒級延遲和顯着更高的能源效率——不到1納焦/位。”

“我們認為,這對於實現諸如人工智能(AI)等自動駕駛系統之間的聯合學習這樣的概念至關重要,其他用例包括在人口稠密的城市中心部署超高速,超可靠的移動熱點,沉浸式增強現實(AR)應用程序和全息技術得到了支持。”

硅目前缺乏以期望的速率和能量效率進行傳輸的能力,因此需要添加化合物半導體電路。

“新的III-V材料(例如磷化銦(InP))可能提供了一種出路,但尚未將其集成到硅平台上。因此,我們將專門研究III-V/CMOS混合方法。我們將研究如何將III-V材料與CMOS技術異構結合,這些材料在可靠性方面如何發揮作用,起作用的降解機制如何,等等。在這些見解的基礎上,我們旨在創建高效,低成本的移動設備技術。-有效地在100GHz甚至更高的頻率下運行。

同樣,對於高比特率接口的當前默認選擇——正交頻域複用(OFDM),可能不再是在100GHz以上運行的6G系統的正確選擇。更高頻率的更多定向波束可以更加積極地利用空間複用。可能需要網格劃分以及數據和控制的更大分離。

“人們普遍認為,未來的移動網絡將必須在100GHz以上的頻率下運行,才能提供100Gbit/s或更高的數據速率。但是,到目前為止,尚缺乏清晰,成熟的基礎技術開發途徑,”imec首席執行官LucVandenhove説,“通過我們的AdvancedRF計劃,我們的目標是將影響力擴展到超出我們在半導體領域的先驅角色,提供有關整個連接生態系統的見識和技術,不僅涉及啓用6G的方面,而且還適用於下一代Wi-Fi通訊”。
責任編輯:tzh

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TPS730 低噪聲、高 PSRR、射頻 200mA 低壓降線性穩壓器

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

和特點 衰減範圍:1 dB LSB步進至31 dB 插入損耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰減精度:±0.5 dB(典型值) 輸入線性度o0.1 dB壓縮(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三階交調點(IP3):40 dBm(典型值) 功率處理:27 dBm 雙電源供電:±5 V CMOS/TTL兼容並行控制 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝HMC939ATCPZ-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準) 下載HMC939ATCPZ-EP數據手冊(pdf) 軍用温度範圍:-55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一製造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 產品詳情 HMC939ALP4E是一款5位數字衰減器,以1 dB步長提供31 dB的衰減控制範圍。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定頻率範圍內提供最佳的插入損耗、衰減精度和輸入線性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V雙電源電壓供電,通過集成片內驅動器提供CMOS/TTL兼容並行控制接口。該器件採用符合RoHS標準的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。有關HMC939ALP4E的裸片版本,請參見HMC939A-DIE。應用 測試儀器儀表 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT) 軍...
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HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混頻器,內置高端本振(LO)緩衝器和RF巴倫

和特點 功率轉換損耗:7.0 dB RF頻率範圍:500 MHz至1500 MHz IF頻率範圍:DC至450 MHz 10 dBm阻塞單邊帶噪聲指數:17 dB 輸入IP3:37 dBm 輸入P1dB :25 dBm 本振驅動:0 dBm(典型值) 單端50Ω RF與本振輸入端口 高隔離度單刀雙擲(SPDT)本振輸入開關 單電源電壓:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引腳裸露焊盤LFCSP封裝 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能產品詳情 ADI參考設計:混合信號數字預失真(MSDPD)平台ADL5367利用一個高線性度雙平衡無源混頻器內核以及集成的RF與本振平衡電路來實現單端工作。ADL5367內置一個RF巴倫,能夠利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF輸入頻率範圍內實現最佳性能。(用於低端本振注入的引腳兼容器件也已供應。)平衡的無源混頻器提供良好的本振至射頻泄漏(典型值優於-20 dBm),以及出色的互調性能。在手機應用中,帶內阻塞信號可能會導致動態性能下降,ADL5367的平衡混頻器內核能夠提供極高的輸入線性度,非常適合於要求嚴苛的手機應用。對於低壓應用,ADL5367能在低至3V的電壓下工作,並大幅降低直流電流。兩個數字邏輯輸入使得用户能夠控制一個內部電阻串數模...
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ADL5367 900 MHz 平衡混頻器,內置高端本振(LO)緩衝器和RF巴倫

AD8346 2.5 GHz 直接變頻正交調製器

和特點 輸出頻率範圍:800 MHz至2.5 GHz I/Q基帶頻率範圍:DC至70 MHz 輸出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪聲:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省電功能 2.7 V至5.5 V單電源 與 AD8345 / AD8349引腳兼容 產品詳情 AD8346是一款硅I/Q正交調製器,設計用於800 MHz至2.5 GHz頻率範圍。該器件針對低功耗應用進行了優化,對於給定的電源電流,仍能提供極低的本底噪聲和高輸出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驅動電平,提供額定50 Ω緩衝輸出。該器件可提供出色的振幅和相位平衡以及邊帶抑制特性,支持高階/高容量QAM調製無線電。此外,AD8346已經過測試,用於直接上變頻CDMA IS95調試器時,可提供–72dBc ACPR。AD8346採用16引腳超薄緊縮小型(TSSOP)封裝,額定温度範圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它調製器/解調器產品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交調製器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解調器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上變頻正交調製器 方框圖...
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AD8346 2.5 GHz 直接變頻正交調製器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

和特點 低噪聲指數:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 輸出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高輸出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 產品詳情 HMC1040CHIPS 是一款砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 低噪聲寬帶放大器,工作範圍為 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,並提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪聲指數和 25.5 dBm 的典型輸出三階交調點 (IP3),只需要 65 mA 電流,2.5 V 電源電壓。15.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 眾多平衡式同樣正交 (I/Q) 或鏡頻抑制混頻器的本地振盪器 (LO) 驅動器。HMC1040CHIPS 還具有可在內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出,使其適用於基於表面安裝技術 (SMT) 的高容量微波無線電應用。應用 軟件定義無線電 電子戰 雷達應用 衞星通信 電子戰 儀器儀表 電信 方框圖...
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HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

ADL5541 射頻/中頻( RF/IF)增益模塊,工作頻率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特點 固定增益:15 dB 工作頻率:6 GHz 內部匹配的50Ω輸入/輸出電阻 內置偏置控制電路 輸出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 輸出1 dB壓縮點:19.7 dBm @900 MHz 噪聲係數:3.5 dB @ 900 MHz 單電源供電:5V 8引腳LFCSP小尺寸封裝 與20 dB增益的ADL5542 引腳兼容 1 kV靜電放電(ESD)保護(Class 1C) 產品詳情 ADL5541是一款15 dB寬帶的線性放大器,工作頻率高達6 GHz。該放大器可以用於各種有線電視、手機以及儀器設備。 ADL5541可以提供15 dB增益,在頻率、温度與電源範圍內穩定工作, 器件一致性好。該增益模塊內部匹配輸入電阻為50Ω,在6 GHz以內其輸入回波損耗為10 dB以下。它工作時只要求輸入/輸出交流耦合電容器、電源去耦合電容器以及外部電感。 ADL5541採用InGaP HBT工藝製作,靜電放電(ESD)保護額定值為1 kV (Class 1C)。它採用3 mm × 3 mm LFCSP封裝,帶裸露焊盤,具有出色的熱阻性能。 ADL5541採用5 V單電源供電,功耗90 mA,工作温度範圍:-40°C至+85°C。 現在可以供應完全符合RoHS標準的評估板。 ADL5542為系列產品,可提供增益20 dB,與ADL55...
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ADL5541 射頻/中頻( RF/IF)增益模塊,工作頻率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量調製器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特點 工作頻率範圍:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制範圍:30 dB 笛卡爾I/Q基帶頻率範圍:DC至230 MHz 輸出三階交調截點:+17.5 dBm 相位控制範圍:360° 輸出1dB壓縮點:+8.5 dBm 輸出開關禁用功能 5V單電源 與AD8340引腳兼容 產品詳情 單芯片RF振幅與移相器AD8341是一款高性能RF矢量調製器,輸入頻率範圍為1.5 GHz至2.4 GHz,可連續、獨立地調整振幅和相位。通過寬帶笛卡爾I/Q接口,可實現完整的360°相位調整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信號帶寬,可通過單端或差分方式驅動,具有±500 mV滿量程輸入。AD8341採用24引腳LFCSP封裝,額定温度範圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8341ACP和AD8341-EVAL。同類產品AD8302 - 低頻至2.7 GHz RF/IF增益相位檢波器AD8340 - RF矢量調製器,700 MHz至1000 MHz其它調製器/解調器產品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪聲RF/IF調製器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上變頻調製器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接變頻解調器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解調器AD...
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AD8341 RF矢量調製器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速響應、45 dB 範圍、 0.5 至 40 GHz 功率檢波器

和特點 具有線性度的肖特基二極管檢波器 寬帶50 Ω輸入阻抗 具有最小斜率變化的精確響應範圍:0.5 GHz至43.5 GHz 輸入範圍:−30 dBm至+15 dBm,參考50 Ω 出色的温度穩定性 2.1 V/VPEAK(輸出電壓根據輸入峯值電壓)斜率(10 GHz) 快速包絡帶寬: 40 MHz 快速輸出上升時間: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝 產品詳情 ADL6010是一款多功能微波頻譜寬帶包絡檢波器, 以單個易於使用的6引腳封裝提供一流的精度和極低的功耗(8 mW)。 該器件輸出的基帶電壓與射頻(RF)輸入信號的瞬時幅度成正比。 它的RF輸入具有非常小的斜率變化,以便包絡從0.5 GHz到43.5 GHz的輸出傳遞函數檢波器單元使用專利的八肖特基二極管陣列,後接新穎的線性化電路,可創建相對於輸入電壓幅度,總比例因子(或傳遞增益)標稱值為?2.2的線性電壓表雖然ADL6010本質上並不是一款功率響應器件,但以這種方式指定輸入依然是很方便的。 因此,相對於50 Ω源輸入阻抗,允許的輸入功率範圍為−30 dBm至+15 dBm。 對應的輸入電壓幅度為11.2 mV至1.8 V,產生範圍從25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的準直流輸出。平衡檢波器拓撲...
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ADL6010 快速響應、45 dB 範圍、 0.5 至 40 GHz 功率檢波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

和特點 低插入損耗(2 GHz):1.1dB 單正電源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解碼器 24引腳QSOP封裝 產品詳情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均為低成本非反射SP8T開關,採用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率範圍為DC至2.5 GHz。該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。該開關上集成了3:8解碼器,僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開關的多種配置。應用 CATV/DBS CDMA 蜂窩/PCS 方框圖...
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HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

和特點 低RMS相位誤差: 1.5° 低插入損耗: 4 dB 高線性度: +50 dBm 正控制邏輯 360°覆蓋,LSB = 5.625° 28引腳QFN無引腳SMT封裝: 36mm2產品詳情 HMC647ALP6E是一款6位數字移相器,額定頻率範圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/+5V的正控制邏輯控制。HMC647ALP6E採用緊湊型6x6 mm塑料無引腳SMT封裝,內部匹配50 Ohms,無需任何外部元件。 應用 EW接收器 氣象和軍用雷達 衞星通信 波束成形模塊 相位抵消 方框圖...
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HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

和特點 RF輸出頻率範圍:17 GHz至24 GHz IF輸入頻率範圍:2 GHz至4 GHz LO輸入頻率範圍:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 邊帶抑制:32 dB(下邊帶) P1dB:25 dBm 增益調節:30 dB 輸出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF輸出、LO輸入和IF輸入 32引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝 產品詳情 ADMV1011是一款採用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器,採用符合RoHS標準的封裝,針對工作頻率範圍為17 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。ADMV1011提供21 dB的轉換增益,具有針對下邊帶和上邊帶的32 dBc和23 dBc邊帶抑制性能。ADMV1011採用射頻(RF)放大器,前接由驅動放大器驅動集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶的濾波要求。ADMV1011為混合型DSB上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼製造裝配。ADMV1011上變頻器採用緊湊的散熱增強型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1011工作温度範圍為−40°C至+85°...
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ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混頻器

和特點 高性能有源混頻器 寬帶操作,頻率最高達2.5 GHz 轉換增益:7 dB 輸入IP3:16.5 dBm LO驅動:–10 dBm 噪聲係數:14 dB 輸入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO輸入阻抗 單電源供電:5 V(50 mA,典型值) 省電模式:20 µA(典型值)產品詳情 AD8343是一款高性能、寬帶有源混頻器,具有極低交調失真,所有端口均具有寬帶寬,非常適合要求嚴格的發射應用或接收通道應用。AD8343的典型變頻增益為7 dB。集成的LO驅動器以低LO驅動電平,支持50 Ω差分輸入阻抗,有助於將外部元件數降至最少。開發差分輸入可以直接與差分濾波器接口,或通過平衡-不平衡變換器(變壓器)驅動,由單端源提供平衡驅動。開集差分輸出可以用來驅動差分中頻信號接口,或通過匹配網絡或變壓器轉換為單端信號。以VPOS電源電壓為中心時,輸出擺幅為±1 V。LO驅動器電路的典型功耗為15 mA。可利用兩個外部電阻來設置混頻器內核電流,以達到要求的性能,總電流為20 mA至60 mA。採用5 V單電源供電時,相應的功耗為100 mW至300 mW。AD8343採用ADI公司的高性能25 GHz硅雙極性IC工藝製造,提供14引腳TSSOP封裝,工作温度範圍為−...
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AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混頻器

ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

和特點 超低功耗、高性能收發器 工作頻段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的數據速率:1 kbps至300 kbps 電源電壓範圍:2.2 V至3.6 V 單端和差分PA 中頻帶寬可編程的低中頻接收機:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收機靈敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 極低功耗 RF輸出功率範圍:−20 dBm至+13.5 dBm(單端PA) 欲瞭解更多特性,請參考數據手冊產品詳情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz頻段的極低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器,這些頻段覆蓋免許可的433MHz、868MHz和915MHz ISM頻段。它適合歐洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中國短程無線監管標準或其它類似地區標準下的電路應用。支持1 kbps至300 kbps的數據速率。發射RF頻率合成器包含一個VCO和一個輸出通道頻率分辨率為400 Hz的低噪聲小數N分頻鎖相環(PLL)。VCO的工作頻...
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ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位數字衰減器

和特點 1.0 dB LSB步進至31 dB 每位單正控制線 誤碼率:±1.0 dB(典型值) 輸入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模塊 可現場更換的K型連接器 工作温度: -55℃至+85℃ 產品詳情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化鎵(GaAs) IC數字衰減器,封裝在微型密封模塊中。 這款寬帶衰減器具有7 dB的典型插入損耗和43 dBm的輸入IP3,位值為1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減範圍為31 dB。 該器件的衰減精度很高,典型步長誤差為±1.0 dB。 五個控制電壓輸入在0 V和5 V之間切換,用於選擇每個衰減狀態。 可移除的K型連接器可以拆卸,以便將模塊的輸入/輸出引腳直接連接到微帶或共面電路。應用 光纖和寬帶電信 微波無線電和VSAT 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM) 空間系統 測試儀器儀表 方框圖...
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HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位數字衰減器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混頻器,集成小數N分頻PLL和VCO

和特點 集成小數N分頻PLL的接收混頻器 RF輸入頻率範圍:300 MHz至2500 MHz 內部LO頻率範圍:750 MHz至1160 MHz 輸入P1dB:14.5 dBm 輸入IP3:31 dBm 通過外部引腳優化IIP3 SSB噪聲係數IP3SET引腳斷開:13.5 dBIP3SET引腳接3.3 V電壓:14.6 dB 電壓轉換增益:6.7 dB 200 Ω IF輸出匹配阻抗 IF 3 dB帶寬:500 MHz 可通過三線式SPI接口進行編程 40引腳、6 mm × 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6601是一款高動態範圍有源混頻器,集成鎖相環(PLL)和壓控振盪器(VCO)。PLL/頻率合成器利用小數N分頻PLL產生fLO輸入,供給混頻器。基準輸入可以進行分頻或倍頻,然後施加於PLL鑑頻鑑相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz範圍內的輸入基準頻率。PFD輸出控制一個電荷泵,其輸出驅動一個片外環路濾波器。然後,環路濾波器輸出施加於一個集成式VCO。VCO輸出(2 × fLO)再施加於一個LO分頻器和一個可編程PLL分頻器。可編程PLL分頻器由一個Σ-Δ調製器(SDM)進行控制。SDM的模數可以在1至2047範圍內編程。有源混頻器可將單端50 Ω RF輸入轉換為200 Ω差分IF輸出。...
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ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混頻器,集成小數N分頻PLL和VCO

ADRF6720-27 寬帶(400 MHz至3 GHz)正交調製器,集成PLL/VCO和2.68 V輸入偏置

和特點 集成小數N分頻PLL的I/Q調製器 RF輸出頻率範圍: 400 MHz至3,000 MHz 內部LO頻率範圍: 356.25 MHz至2855 MHz 輸出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 輸出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 載波饋通: −44.3 dBm (2140 MHz) 邊帶抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基帶1 dB調製帶寬: >1000 MHz 基帶輸入偏置電平: 2.68 V 電源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可調諧巴倫,允許單端RF輸出 多核集成式VCO HD3/IP3優化 邊帶抑制和載波饋通優化 高端/低端LO注入 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 40引腳6 mm x 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6720-27是一款集成頻率合成器的寬帶正交調製器,非常適合用於3G和4G通信系統。 ADRF6720-27內置一個高線性度寬帶調製器、一個集成式小數N分頻鎖相環(PLL),以及四個低相位噪聲多核壓控振盪器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信號可從內部通過片內整數N分頻或小數N分頻頻率合成器產生,也可從外部通過高頻、低相位噪聲LO信號產生。 內部集成式頻率合成器利用多核VCO,實現356.25 MHz到28...
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ADRF6720-27 寬帶(400 MHz至3 GHz)正交調製器,集成PLL/VCO和2.68 V輸入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的寬帶雙通道RX混頻器

和特點 寬帶、雙通道、有源下變頻混頻器 低失真、快速建立、IF DGA RF輸入頻率範圍:690 MHz至3.8 GHz RF輸入端的可編程巴倫 差分和單端LO輸入模式 差分IF輸出阻抗:100 Ω 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 對於RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高線性度模式: 電壓轉換增益,包括IF濾波器損耗:−5至+26.5 dB (更多詳細信息,請參見數據手冊) 靈活的省電模式,針對低功耗操作 通道使能後的上電時間:100 ns,典型值 3.3 V單電源 高線性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 產品詳情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、寬帶、雙通道無線電頻率(RF)下變頻器,集成中頻(IF)數字控制放大器(DGA),適用於寬帶、低失真基站無線電接收機。 雙通道Rx混頻器為雙平衡吉爾伯特單元混頻器,具有高線性度和出色的圖像抑制能力。 兩款混頻器均可將50 Ω RF輸入轉換為開集寬帶IF輸出。 在混頻器輸入前,RF輸入端的內部可調諧巴倫可抑制RF信號諧波並衰減帶外信號,從而減少輸入反射和帶外干擾信號。 靈活的本振(LO)架構允許使用差分或單端LO信號。 雙通道IF DGA基於ADL5201和ADL5202,固定差分輸出...
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ADRF6658 集成IF放大器的寬帶雙通道RX混頻器

HMC6300 60 GHz毫米波發射器,57 GHz - 64 GHz

和特點 頻段:57 - 64 GHz RF信號帶寬:最高達1.8 GHz 針對1 dB壓縮的輸出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 數字和模擬RF和IF增益控制 集成頻率合成器 集成鏡像抑制濾波器 部分外置的環路濾波器 支持外部LO 片內温度傳感器 支持256-QAM調製 集成MSK調製器 通用模擬I/Q基帶接口 三線式串行數字接口 符合RoHS標準的65引腳晶圓級球柵陣列封裝 產品詳情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波發射器集成電路,採用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝,工作頻率範圍為57 GHz至64 GHz,調製帶寬高達1.8 GHz。集成式頻率合成器在250、500或540 MHz步長下進行調諧,具有出色的相位噪聲,支持高達64-QAM的調製。或者,可以注入外部LO,它支持用户可選LO特性或相位相干發射和接收操作以及高達256-QAM的調製。通過通用模擬基帶IQ接口提供對各種調製格式的支持。發射器芯片還支持專用FSK、MSK、OOK調製格式,從而實現更低成本和功耗的串行數據鏈路,而無需使用高速數據轉換器。差分輸出向100 Ω負載提供高達15 dBm的線性輸出功率。同時支持單端操作,最高12 dBm。與HMC6301BG46一起,完整的60 G...
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HMC6300 60 GHz毫米波發射器,57 GHz - 64 GHz