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台灣半導體產業再進入一個新的里程碑

2020-11-26 16:06 次閲讀

台灣叱吒全球的半導體產業再進入一個新的里程碑!那就是晶圓代工龍頭台積電位在南科的3納米廠正式舉行上樑典禮。根據外媒《彭博社》的報導指出,台積電的3納米制程預計將在2022年的下半年正式量產。台積電董事長劉德音也表示,3納米廠廠房基地面積約為35公頃,無塵室面積將超過16萬平方公尺,大約是22座標準足球場大小。而屆時當3納米進入量產時,當年產能預估將超過每年60萬片12吋晶圓,這也將使得台積電繼續保持技術領先地位。

根據市場研究及調查機構《ICINSIGHTS》的最新研究數據顯示,2020年全球前15大半導體廠當中,台積電的年營收可望達454.2億美元,將僅次南韓三星(Samsung)及處理器龍頭英特爾Intel),居全球第3大半導體廠。不過,相較於三星有記憶體及晶圓製造,英特爾以銷售處理器及其他芯片為主的商業模式,台積電則是其中唯一的純晶圓代工廠。

另外,根據TrendForce旗下拓墣產業研究院的調研結果顯示,2020年第3季台積電在全球晶圓代工市場的市佔率高達53.9%,也就是在前10名的晶圓代工企業當中,其他9名的總和都沒有台積電一家多。而這今日的台灣之光,掌握全球半導體制造產業的重要關鍵,當時是如何建立?這就得從1974年在台北的一場會議中談起。

推動經濟轉型促成兩大龍頭

1974年,當時的行政院祕書長費驊,會同包括經濟部長孫運璿、交通部長高玉樹、電信總局局長方賢齊、工研院院長王兆振與電信研究所所長康寶煌等政府官員,再加上美國無線電公司(RCA)研究主任潘文淵聚在一起討論如何促進台灣經濟轉型,希望能從原本的紡織業轉而發展電子業。討論結果最後決定,藉由政府的主導來發展集成電路產業,由經濟部在工研院底下設立「電子工業研究發展中心」,也就是後來的工研院電子所,以電子錶使用的芯片為基礎,預計自美國引進集成電路技術。

台灣半導體產業再進入一個新的里程碑

潘文淵邀集海外華人組成「電子技術顧問委員會」(TAC),為工研院擬定技術合作邀請函,詢問30多家美國半導體廠商技術移轉的意願,最後選定RCA。當時RCA已經在台灣設廠生產電子產品,而且願意代訓人才,並負有更新技術之義務,以及買回所生產出的芯片,因而雀屏中選。當時工研院選派楊丁元、史欽泰、章青駒等多人赴美國RCA工廠培訓,回台灣在電子所設立集成電路示範工廠,後來這些人均成為台灣半導體產業的關鍵人物。

而電子示範工廠生產的首批電子錶電路CD4007A的良率為55.7%,但4個月後便超過RCA估計的最高良率80%。此後甚至超越美國的平均良率83%,而達到88%,連RCA都自嘆不如。後來,RCA甚至一度請求工研院將示範工廠或是技術賣回RCA,但為工研院拒絕,之後開啓了台灣集成電路產業的輝煌世代。

不過,產品大受歡迎的情況下,卻產生了另一個問題,那就示範工廠越來越商業化,需要擴廠的資金需求也越來越高,而這與工研院身為研究機構,準備專心第二期集成電路研究計畫產生衝突,因此決定將示範工廠切割出去,這也就是在1980年成立衍生公司聯華電子(聯電)的由來。

至於,後來台積電的成立,則是工研院電子所「超大型集成電路計畫」的產物,之後成為繼聯電後的第2家衍生公司。如同聯電一般,1987年成立台積電之際,時任行政院長俞國華希望民間持股能夠至少有51%,以便確保台積電成為民營公司,但是同樣因為台灣企業家缺乏信心而募資不順,最後只得尋求外資合作,之後由行政院開發基金投資48.3%、荷蘭飛利浦公司投資27.5%,本地民間資本僅佔24.2%。

英特爾也幫了一把

台積電創立後,1988年董事長張忠謀做了一個關鍵的決定,那就是透過私人情誼將老朋友AndyGrove(前英特爾創辦人暨執行長)請到台灣對台積電展開認證,並爭取為英特爾代工產品。當時,拿到英特爾的認證對於台積電來説至關重要,因為拿到世界級的認證就是對其生產能力最好的背書,同時也為公司建立起了規章制度上的國際化標準。

在順利通過英特爾的認證之後,等於為其所擁有的晶圓代工模式打開生意的大門,使得成立不久的台積電逐漸步上穩健的經營軌道,並在1994年9月5日正式在台灣證券交易所上市,股票代碼為2330.TW。之後的1997年10月8日,台積電海外存託憑證又在紐約證券交易所上市,股票代碼為TSM.N。

而隨着台積電後來在晶圓代工領域驚人的成功,尤其是在營業額屢創新高之際,依舊維持將近50%的毛利率,台灣及世界各地的半導體設計公司因此大幅增加,加速了半導體產業的技術進步。之後,許多企業爭相模仿,首先是新加坡的特許半導體(CharteredSemiconductor)也以純晶圓代工模式與台積電競爭,此外,南韓三星、日本的富士重工、川崎鋼鐵、神户鋼鐵與山葉以及美國的英特爾等公司,也在自身業務外投入晶圓代工產業。

面對晶圓代工市場的百花齊放,此時的台積電仍依照自己既定的步伐邁進。1999年,台積電領先業界推出可商業量產的0.18微米銅製程製造服務。2001年,台積電推出業界第一套參考設計流程(ReferenceDesignFlow),協助開發0.25微米及0.18微米的客户降低設計障礙,以達到快速量產之目標。2005年,領先業界成功試產65納米制程芯片。同年6月,張忠謀辭去台積電執行職務,將棒子移交給其一手培養起來的接班人蔡力行,自己則僅擔任董事長的職務。

世代交替幾經波折

不過,世代輪替後的台積電並沒有因此而一帆風順。首先是2008年全球金融海嘯衝擊,使得2009年營收較2008年下滑了11.2%,而且還因為勞資爭議事件鬧的滿城風雨。再加上當時台積電正在積極開發的40納米制程遇上瓶頸,這些因素都讓公司營運面臨虧損的危機。

2009年6月,在卸任4年之後,張忠謀以78歲高齡,重新回鍋擔任台積電執行長職務,透過一系列的危機處理,使台積電的營運重回正軌。而其中之一的關鍵,就是繼40納米制程之後的28納米制程,台積電決定採用與英特爾相同的Gate-last架構,放棄IBM的Gate-First架構,使得當時同樣在開發28納米制程的競爭對手聯電、三星、格羅方德都還持續在研發卡關的時刻,台積電能在2011年正式量產28納米制程。

28納米制程搶先成關鍵

有人稱28納米制程為幫助台積電後來全面脱胎換骨的關鍵,現在看來一點都不為過。原因在於當其他競爭對手都還持續在與28納米制程技術奮鬥之際,台積電率先推出28納米制程芯片,使得製程技術和台積電落差無法縮小落差的情況下,只能在65及40納米的技術節點上彼此削價競爭。使得當初以高階芯片為主的IC設計公司在選擇代工廠之際,可説除了台積電以外,就沒有第二選擇,也因此使得台積電在28納米節點上的優勢維持了數年之久,而該製程亦可説是歷年來對台積電營收貢獻最大的製程之一,這也使得台積電之後進一步拉大與其他競爭對手差距,成為持續穩坐晶圓代工龍頭的最大助力。

2013年,台積電挾28納米制程的技術與市場優勢,推出半節點升級的20納米制程,只是,20納米為28納米制程所改良而來,在芯片面積微縮及功耗提升有限的情況下,較知名的除了蘋果的A8處理器外,正式採用的客户並不多,未能延續台積電在28納米制程上的優勢,使得這時的台積電開始將期望放在下一個全節點提升的16納米制程發展上。

被迫與三星分單反突顯優勢

2014年,台積電推出在20納米制程基礎上加入FinFET技術而成16納米制程,並且取得使用於搭載於蘋果iPhone6s和iPhone6s+智慧型手機上A9處理器的部分訂單。當時,台積電的競爭對手南韓三星,因為在28納米制程上始終無法突破台積電的優勢之後,就將發展目標進一步跳過20納米制程,放置到更先進的14納米制程上,並且找來前台積電負責研發的梁孟松進行技術指點,之後領先台積電的16納米制程,率先推出14納米制程,後來還與先前持續在製程上領先台積電共享蘋果A9處理器訂單。

當時,蘋果採取了使用雙供應商的策略,同樣的芯片設計分別由三星電子和台積電完成晶圓代工。三星生產的芯片代號為APL0898,使用14納米制程製造,面積為96平方公釐;而台積電生產的芯片代號為APL1022,使用了16納米制程製造,面積為104.5平方公釐。雖然略有區別,但是蘋果宣稱性能並無顯著區別。

之後,2015年10月,市場卻傳出,根據測試程式的結果,搭載三星代工芯片的iPhone續航能力,較搭載台積電代工芯片的iPhone更低的情況,一系列報導引起了消費者熱議。雖然,這消息為蘋果及三星所否認。但是自A9系列處理器之後,蘋果自A10系列處理器開始,直到近期最新的A14系列處理器,蘋果就再也沒有讓三星進行代工,可以想像這次事件影響的巨大。

製程優勢一路領先

雖然台積電與三星在16及14納米制程上仍在激烈競爭,但當時的台積電已經開始着手新一代10納米制程的開發,而這其中還加入台積電後來關鍵的致勝武器──InFO扇出型晶圓級封裝技術,並在2016年正式推出。事實上,扇出型晶圓級封裝技術早在2010年就已經被英特爾研發出來,最初用在英特爾的行動解決方案上,但可惜的是,英特爾並未堅持下去,反而台積電接手該技術的研發,並推出完全版的InFO封裝技術。而該封裝技術的最大好處就是降低成本、加快芯片製造週期,在製程良率達到最佳水平時效率尤其明顯。

隨着10納米制程之後,台積電緊接着迎接個位數納米制程的來臨。台積電的第1代7納米制程於2017年4月開始開始大規模投產,相較於上一代的10納米FinFET製程技術,台積電的7納米制程技術在邏輯閘密度提高1.6倍,運算速度增快約20%,功耗降低約40%。至於,第二代的7納米(N7+)製程技術,在採用了及紫外光曝光技術(EUV)之後,則於2018年8月開始試產。

而台積電也曾表示,自2020年7月份終於生產出了第10億個7納米制程芯片之後,換句話説,7納米制程自投產開始,到生產出第10億個芯片僅花費27個月的時間,在平均每個月生產出3,700萬片7納米芯片的情況下,使得該製程較過去的其他製程都要更快達到其量產規模。另外,目前採用7納米制程的客户有數十家,其所生產的產品搭載在100多種的產品上,而如果將這10億個內含數十億個電機體的7納米芯片鋪平,則足以覆蓋13個紐約曼哈頓。

緊接着7納米制程的發展,2020年台積電的5納米制程也進入正式的量產階段。而根據台積電公佈的資料顯示,5納米制程將會是台積電的再一個重要製程節點,其中將分為N5、N5P兩個版本。N5相較於前一個節點的N7的7納米制程性能要再提升15%、功耗降低30%。而更先進的N5P則將在N5的基礎上再將性能提升7%、功耗降低15%,而N5P製程技術則預計於2021年正式量產。

回顧歷程,台積電在1987年成立時由1座6吋廠開始,如今已經發展成擁有4座12吋超大晶圓廠、4座8吋晶圓廠和1座6吋晶圓廠,並擁有一家百分之百持有之海外子公司──台積電(南京)有限公司之12吋晶圓廠,及2家百分之百持有之海外子公司──WaferTech美國子公司、台積電(中國)有限公司之8吋晶圓廠,再加上4座後段封測廠的跨國性大型半導體公司。

截至2019年為止,台積電也提供最廣泛的先進製程、特殊製程及先進封裝等272種製程技術,為499個客户生產1萬761種不同產品。而2020年前3季也繳出,收達新台幣9,777.22億元,較2019年同期增加29.9%,毛利率52.8%,較2019年同期增加8.5個百分點,税後純益3,751.19億元,較2019年同期增加63.6%,每股EPS為14.47元的亮麗成績。緊接着,隨着南科3納米廠的逐步完工,預計台積電未來還將持續發展,其將能為者個半導體產業帶來什麼樣的改變,也讓大家持續期待。
責任編輯:tzh

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三星公司昨晚正式推出了Galaxy S21系列旗艦機,要比以往的S系列旗艦發佈早了一個月多,而且起價....
的頭像 如意 發表於 01-16 09:49 690次 閲讀
三星Galaxy S21系列降價,銷量將大漲

打破主控芯片壁壘,這些企業夠硬核

對國產半導體來説,2020年是挑戰與機遇並存的一年。新冠疫情一度打亂產業發展節奏,而在華為、中芯國際....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-16 09:47 242次 閲讀
打破主控芯片壁壘,這些企業夠硬核

2020年前十大的半導體廠商排名公佈

近日,Gartner發佈了他們對2020年半導體的營收預測。按照他們的説法,繼2019年下降12%之....
的頭像 我快閉嘴 發表於 01-16 09:47 351次 閲讀
2020年前十大的半導體廠商排名公佈

哪些因素推動着市場格局不斷變化

當今的行業正在經歷翻天覆地的變化,這主要是由於終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前,業內有許多家公司,它們多半活躍於...
發表於 01-15 07:46 0次 閲讀
哪些因素推動着市場格局不斷變化

【郵寄香港】性能好得令人髮指

MTO-EV033開發板有坑:直接給VM上電,再從CLK輸入矩形波,開發板是沒法驅動步進電機,因為還需要給芯片各使能引腳接高...
發表於 01-04 15:25 101次 閲讀
【郵寄香港】性能好得令人髮指

這幾款是什麼芯片,請問誰有用過,請大俠指教下

發表於 12-31 09:03 363次 閲讀
這幾款是什麼芯片,請問誰有用過,請大俠指教下

請問如下芯片是何芯片?如何替換

西屋取暖器數顯控制板上用。
發表於 12-29 17:51 428次 閲讀
請問如下芯片是何芯片?如何替換

求 Kv56 芯片的相關學習資料!!!

發表於 12-29 17:41 909次 閲讀
求 Kv56 芯片的相關學習資料!!!

半導體芯片行業的運作模式有哪些

半導體芯片行業的運作模式
發表於 12-29 07:46 0次 閲讀
半導體芯片行業的運作模式有哪些

集成多種高端技術,半導體潔淨室專用檢測儀器

半導體指常温下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等...
發表於 12-28 11:21 101次 閲讀
集成多種高端技術,半導體潔淨室專用檢測儀器

晶圓級三維封裝技術發展

先進封裝發展背景 晶圓級三維封裝技術發展 ...
發表於 12-28 07:15 0次 閲讀
晶圓級三維封裝技術發展

以太網MAC芯片與PHY芯片的關係是什麼

如何實現單片以太網微控制器? 以太網MAC是什麼? 什麼是MII? 以太網PHY是什麼? 網卡上除RJ-45接口外,還需要其...
發表於 12-28 06:22 0次 閲讀
以太網MAC芯片與PHY芯片的關係是什麼

芯片製造全工藝流程解析

芯片製造全工藝流程詳情
發表於 12-28 06:20 0次 閲讀
芯片製造全工藝流程解析

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 輸出 NVRAM監督員為外部LPSRAM 芯片使能選通(STM795只)用於外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延遲) 手冊(按鈕)復位輸入 200毫秒(典型值)噸 REC 看門狗計時器 - 1.6秒(典型值) 自動電池切換 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五監督員是自載裝置,其提供微處理器監控功能與能力的非揮發和寫保護外部LPSRAM。精密電壓基準和比較監視器在V
發表於 05-20 16:05 75次 閲讀
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 過壓保護負載開關

0具有低R ON 內部FET,工作電壓範圍為2.5 V至23 V.內部鉗位電路能夠分流±100 V的浪湧電壓,保護下游元件並增強系統的穩健性。 FPF2290具有過壓保護功能,可在輸入電壓超過OVP閾值時關斷內部FET。 OVP閾值可通過邏輯選擇引腳(OV1和OV2)選擇。過温保護還可在130°C(典型值)下關斷器件。 FPF2290採用完全“綠色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圓級芯片級封裝(WLCSP),帶有背面層壓板。 特性 電湧保護 帶OV1和OV2邏輯輸入的可選過壓保護(OVP) 過温保護(OTP) 超低導通電阻,33mΩ 終端產品 移動 便攜式媒體播放器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-31 13:02 129次 閲讀
FPF2290 過壓保護負載開關

FTL75939 可配置負載開關和復位定時器

39既可作為重置移動設備的計時器,又可作為先進負載管理器件,用於需要高度集成解決方案的應用。若移動設備關閉,保持/ SR0低電平(通過按下開啓鍵)2.3 s±20%能夠開啓PMIC。作為一個重置計時器,FTL11639有一個輸入和一個固定延遲輸出。斷開PMIC與電池電源的連接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延遲。然後負荷開關再次打開,重新連接電池與PMIC,從而讓PMIC按電源順序進入。連接一個外部電阻到DELAY_ADJ引腳,可以自定義重置延遲。 特性 出廠已編程重置延遲:7.5 s 出廠已編程重置脈衝:400 ms 工廠自定義的導通時間:2.3 s 出廠自定義關斷延遲:7.3 s 通過一個外部電阻實現可調重置延遲(任選) 低I CCT 節省與低壓芯片接口的功率 關閉引腳關閉負載開關,從而在發送和保存過程中保持電池電荷。準備使用右側輸出 輸入電壓工作範圍:1.2 V至5.5 V 過壓保護:允許輸入引腳> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V時) 壓擺率/浪湧控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大連續電流(JEDEC ...
發表於 07-31 13:02 227次 閲讀
FTL75939 可配置負載開關和復位定時器

NCV8774 LDO穩壓器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO穩壓器。其堅固性使NCV8774可用於惡劣的汽車環境。超低靜態電流(典型值低至18μA)使其適用於永久連接到需要具有或不具有負載的超低靜態電流的電池的應用。當點火開關關閉時,模塊保持活動模式時,此功能尤其重要。 NCV8774包含電流限制,熱關斷和反向輸出電流保護等保護功能。 特性 優勢 固定輸出電壓為5 V和3.3 V 非常適合為微處理器供電。 2%輸出電壓高達Vin = 40 V 通過負載突降維持穩壓電壓。 輸出電流高達350 mA 我們廣泛的汽車調節器產品組合允許您選擇適合您應用的汽車調節器。 NCV汽車前綴 符合汽車現場和變更控制& AEC-Q100資格要求。 低壓差 在低輸入電壓下維持輸出電壓調節(特別是在汽車起動過程中)。 超低靜態電流18μA典型 符合最新的汽車模塊要求小於100μA。 熱關機 保護設備免受高温下的永久性損壞。 短路 保護設備不會因電流過大而在芯片上產生金屬開路。 非常廣泛的Cout和ESR穩定性值 確保任何類型的輸出電容的穩定性。 車身控制模塊 儀器和羣集 乘員...
發表於 07-30 19:02 109次 閲讀
NCV8774 LDO穩壓器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO穩壓器 350 mA 低壓差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定輸出,低壓差集成穩壓器,輸出電流能力為350 mA。仔細管理輕負載電流消耗,結合低泄漏過程,可實現30μA的典型靜態電流。 輸出電壓精確到±2.0%,在滿額定負載電流下最大壓差為600 mV。內部保護,防止輸入電源反轉,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 特性 優勢 5.0 V和12 V輸出電壓選項,輸出精度為2.0%,在整個温度範圍內 非常適合監控新的微處理器和通信節點 40 I OUT = 100 A時的最大靜態電流 滿足100μA最大模塊汽車製造商點火關閉靜態電流要求 350 mV時600 mV最大壓差電壓電流 在低輸入電壓下維持輸出電壓調節。 5.5 V至45 V的寬輸入電壓工作範圍 維持甚至duri的監管ng load dump 內部故障保護 -42 V反向電壓短路/過流熱過載 節省成本和空間,因為不需要外部設備 AEC-Q100合格 滿足汽車資格要求 應用 終端產品 發動機控制模塊 車身和底盤 動力總成 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 18:02 85次 閲讀
NCV8674 LDO穩壓器 350 mA 低壓差 低Iq

NCV8664C LDO穩壓器 150 mA 低壓差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定輸出,低壓差集成穩壓器,輸出電流能力為150 mA。仔細管理輕負載電流消耗,結合低泄漏過程,可實現22μA的典型靜態電流。輸出電壓精確到±2.0%,在滿額定負載電流下最大壓差為600 mV。內部保護,防止輸入電源反向,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 NCV8664C與NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引腳和功能兼容,當需要較低的靜態電流時可以替換這些器件。 特性 優勢 最大30μA靜態電流100μA負載 符合新車製造商最大模塊靜態電流要求(最大100μA)。 極低壓降600 mV(最大值)150 mA負載電流 可以在低輸入電壓下啓動時運行。 保護: -42 V反向電壓保護短路保護熱過載保護 在任何汽車應用中都不需要外部元件來實現保護。 5.0 V和3.3V固定輸出電壓,輸出電壓精度為2% AEC-Q100 1級合格且PPAP能力 應用 終端產品 發動機控制模塊 車身和底盤 動力總成 信息娛樂,無線電 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 18:02 160次 閲讀
NCV8664C LDO穩壓器 150 mA 低壓差 低Iq

NCV8660B LDO穩壓器 150 mA 低壓差 低Iq

0B是一款精密極低Iq低壓差穩壓器。典型的靜態電流低至28μA,非常適合需要低負載靜態電流的汽車應用。復位和延遲時間選擇等集成控制功能使其成為微處理器供電的理想選擇。它具有5.0 V或3.3 V的固定輸出電壓,可在±2%至150 mA負載電流範圍內調節。 特性 優勢 固定輸出電壓為5 V或3.3 V 非常適合為微處理器供電。 2%輸出電壓,最高VBAT = 40 V 維持穩壓電壓裝載轉儲。 輸出電流高達150 mA 我們廣泛的汽車調節器產品組合允許您選擇適合您應用的汽車調節器。 延遲時間選擇 為微處理器選擇提供靈活性。 重置輸出 禁止微處理器在低電壓下執行未請求的任務。 汽車的NCV前綴 符合汽車網站和變更控制& AEC-Q100資格要求。 低壓差 在低輸入電壓下維持輸出電壓調節(特別是在汽車起動過程中)。 典型值為28 uA的低靜態電流 符合最新的汽車模塊要求小於100uA。 熱關機 保護設備免受高温下的永久性損壞。 短路 保護設備不會因電流過大而在芯片上產生金屬開路。 在空載條件下穩定 將系統靜態電流保持在最低限度。...
發表於 07-30 18:02 107次 閲讀
NCV8660B LDO穩壓器 150 mA 低壓差 低Iq

NCV8665 LDO穩壓器 150 mA 低壓差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定輸出,低壓差集成穩壓器,輸出電流能力為150 mA。仔細管理輕負載電流消耗,結合低泄漏過程,可實現30μA的典型靜態接地電流。 NCV8665的引腳與NCV8675和NCV4275引腳兼容,當輸出電流較低且需要非常低的靜態電流時,它可以替代這些器件。輸出電壓精確到±2.0%,在滿額定負載電流下最大壓差為600 mv。它具有內部保護,可防止45 V輸入瞬變,輸入電源反轉,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 特性 優勢 5.0 V固定輸出電壓,輸出電壓精度為2%(3.3 V和2.5 V可根據要求提供) 能夠提供最新的微處理器 最大40 A靜態電流,負載為100uA 滿足100μA最大模塊汽車製造商點火關閉靜態電流要求 保護: -42 V反向電壓保護短路 在任何汽車應用中都不需要外部組件來啓用保護。 AEC-Q100合格 符合自動資格認證要求 極低壓降電壓 應用 終端產品 發動機控制模塊 車身和底盤 動力總成 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 17:02 129次 閲讀
NCV8665 LDO穩壓器 150 mA 低壓差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO穩壓器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定輸出,低壓差集成穩壓器,輸出電流能力為150 mA。仔細管理輕負載電流消耗,結合低泄漏過程,可實現典型的22μA靜態接地電流。輸出電壓精確到±2.0%,在滿額定負載電流下最大壓差為600 mV 。 內部保護,防止輸入電源反轉,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 NCV8664的引腳和功能與NCV4264和NCV4264-2兼容,當需要非常低的靜態電流時,它可以替代這些部件。 特性 優勢 負載100μA時最大30μA靜態電流 會見新車製造商最大模塊靜態電流要求(最大100μA)。 保護: -42 V反向電壓保護短路保護熱過載保護 在任何汽車應用中都不需要外部組件來啓用保護。 極低壓降電壓 可以在低輸入電壓下啓動時運行。 5.0 V和3.3V固定輸出電壓,2%輸出電壓精度 AEC-Q100合格 汽車 應用 車身和底盤 動力總成 發動機控制模塊 信息娛樂,無線電 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 17:02 153次 閲讀
NCV8664 LDO穩壓器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO穩壓器 350 mA 低壓差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定輸出,低壓差集成穩壓器,輸出電流能力為350 mA。仔細管理輕負載電流消耗,結合低泄漏過程,可實現34μA的典型靜態接地電流。 內部保護免受輸入瞬態,輸入電源反轉,輸出過流故障和芯片温度過高的影響。無需外部元件即可實現這些功能。 NCV8675引腳與NCV4275引腳兼容,當需要非常低的靜態電流時,它可以替代該器件。對於D 2 PAK-5封裝,輸出電壓精確到±2.0%,對於DPAK-5封裝,輸出電壓精確到±2.5%,在滿額定負載電流下,最大壓差為600 mV。 特性 優勢 5.0 V和3.3 V固定輸出電壓,輸出電壓精度為2%或2.5% 能夠提供最新的微處理器 負載為100uA時最大34uA靜態電流 滿足100uA最大模塊汽車製造商點火關閉靜態電流要求 保護: -42 V反向電壓保護短路 在任何汽車應用中都不需要外部組件來實現保護。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自動資格認證要求 極低壓降電壓 應用 終端產品 發動機控制模塊 車身和底盤 動力總成 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 16:02 120次 閲讀
NCV8675 LDO穩壓器 350 mA 低壓差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO穩壓器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引腳與NCV4264引腳兼容,具有更低的靜態電流消耗。其輸出級提供100 mA,輸出電壓精度為+/- 2.0%。在100 mA負載電流下,最大壓差為500 mV。它具有內部保護,可防止45 V輸入瞬變,輸入電源反轉,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 特性 優勢 最大60μA靜態電流,負載為100μA 處於待機模式時可以節省電池壽命。 保護: - 42 V反向電壓保護短路保護熱過載保護 無需外部元件在任何汽車應用中都需要保護。 極低壓差 可以在低輸入電壓下啓動時運行。 5.0 V和3.3 V固定輸出電壓,輸出電壓精度為2% AEC-Q100合格 應用 終端產品 車身和底盤 動力總成 發動機控制模塊 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 13:02 114次 閲讀
NCV4264-2 LDO穩壓器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO穩壓器 100 mA 高PSRR

4是一款寬輸入範圍,精密固定輸出,低壓差集成穩壓器,滿載電流額定值為100 mA。輸出電壓精確到±2.0%,在100 mA負載電流下最大壓差為500 mV。 內部保護免受45 V輸入瞬變,輸入電源反轉,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 特性 優勢 5.0 V和3.3 V固定輸出電壓和2.0%輸出電壓精度 嚴格的監管限制 非常低的輟學 可以在低輸入電壓下啓動時運行。 保護: -42 V反向電壓保護短路保護熱過載保護 在任何汽車應用中都不需要外部組件來啓用保護。 AEC-Q100合格 符合汽車資格標準 應用 終端產品 車身與底盤 動力總成 發動機控制模塊 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 13:02 257次 閲讀
NCV4264 LDO穩壓器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO穩壓器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低靜態電流消耗LDO穩壓器。其輸出級提供100 mA,輸出電壓精度為+/- 2.0%。在100 mA負載電流下,最大壓差為500 mV。它具有內部保護,可防止45 V輸入瞬變,輸入電源反轉,輸出過流故障和過高的芯片温度。無需外部組件即可啓用這些功能。 特性 優勢 最大60μA靜態電流,負載為100μ 在待機模式下節省電池壽命。 極低壓降500 mV( max)100 mA負載電流 可以在低輸入電壓下啓動時運行。 故障保護: -42 V反向電壓保護短路/過流保護熱過載保護 在任何汽車應用中都不需要外部組件來啓用保護。 5.0 V和3.3 V固定輸出電壓,輸出電壓精度為2%,在整個温度範圍內 AEC-Q100合格 應用 終端產品 發動機控制模塊 車身和底盤 動力總成 汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 13:02 221次 閲讀
NCV4264-2C LDO穩壓器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO穩壓器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO穩壓器,集成了復位功能,專用於微處理器應用。其堅固性使NCV8772可用於惡劣的汽車環境。超低靜態電流(典型值低至24μA)使其適用於永久連接到需要具有或不具有負載的超低靜態電流的電池的應用。當點火開關關閉時,模塊保持活動模式時,此功能尤其重要。 Enable功能可用於進一步降低關斷模式下的靜態電流至1μA。 NCV8772包含電流限制,熱關斷和反向輸出電流保護等保護功能。 特性 優勢 固定輸出電壓為5 V 非常適合為微處理器供電。 2%輸出電壓上升至Vin = 40 V 通過負載突降維持穩壓電壓。 輸出電流高達350 mA 我們廣泛的汽車調節器產品組合允許您選擇適合您應用的汽車調節器。 RESET輸出 禁止微處理器在低電壓下執行未請求的任務。 汽車的NCV前綴 符合汽車現場和變更控制& AEC-Q100資格要求。 低壓差 在低輸入電壓下維持輸出電壓調節(特別是在汽車起動過程中)。 超低靜態電流24μA典型 符合最新的汽車模塊要求小於100μA。 熱關機 保護設備免受高温下的永久性損壞。 短路 保護設備不會因電流過...
發表於 07-30 12:02 152次 閲讀
NCV8772 LDO穩壓器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO穩壓器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO穩壓器,集成了復位功能,專用於微處理器應用。其堅固性使NCV8770可用於惡劣的汽車環境。超低靜態電流(典型值低至21μA)使其適用於永久連接到需要具有或不具有負載的超低靜態電流的電池的應用。當點火開關關閉時,模塊保持活動模式時,此功能尤其重要。 NCV8770包含電流限制,熱關斷和反向輸出電流保護等保護功能。 特性 優勢 固定輸出電壓為5 V 非常適合為微處理器供電。 2%輸出電壓上升至Vin = 40 V 通過負載突降維持穩壓電壓。 輸出電流高達350 mA 我們廣泛的汽車調節器產品組合允許您選擇適合您應用的汽車調節器。 RESET輸出 禁止微處理器在低電壓下執行未請求的任務。 汽車的NCV前綴 符合汽車現場和變更控制& AEC-Q100資格要求。 低壓差 在低輸入電壓下維持輸出電壓調節(特別是在汽車起動過程中)。 典型值為21μA的超低靜態電流 符合最新的汽車模塊要求小於100μA。 熱關機 保護設備免受高温下的永久性損壞。 短路 保護設備不會因電流過大而在芯片上產生金屬開路。 非常廣泛的Cout和E...
發表於 07-30 12:02 122次 閲讀
NCV8770 LDO穩壓器 350 mA 低Iq

MC33160 線性穩壓器 100 mA 5 V 監控電路

0系列是一種線性穩壓器和監控電路,包含許多基於微處理器的系統所需的監控功能。它專為設備和工業應用而設計,為設計人員提供了經濟高效的解決方案,只需極少的外部組件。這些集成電路具有5.0 V / 100 mA穩壓器,具有短路電流限制,固定輸出2.6 V帶隙基準,低電壓復位比較器,帶可編程遲滯的電源警告比較器,以及非專用比較器,非常適合微處理器線路同步。 其他功能包括用於低待機電流的芯片禁用輸入和用於過温保護的內部熱關斷。 這些線性穩壓器採用16引腳雙列直插式熱片封裝,可提高導熱性。 特性 5.0 V穩壓器輸出電流超過100 mA 內部短路電流限制 固定2.6 V參考 低壓復位比較器 具有可編程遲滯的電源警告比較器 未提交的比較器 低待機當前 內部熱關斷保護 加熱標籤電源包 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 06:02 110次 閲讀
MC33160 線性穩壓器 100 mA 5 V 監控電路

FAN53880 一個降壓 一個升壓和四個LDO PMIC

80是一款用於移動電源應用的低靜態電流PMIC。 PMIC包含一個降壓,一個升壓和四個低噪聲LDO。 特性 晶圓級芯片級封裝(WLCSP) 可編程輸出電壓 軟啓動(SS)浪湧電流限制 可編程啓動/降壓排序 中斷報告的故障保護 低電流待機和關機模式 降壓轉換器:1.2A,VIN範圍: 2.5V至5.5V,VOUT範圍:0.6V至3.3V 升壓轉換器:1.0A,VIN範圍:2.5V至5.5V,VOUT範圍:3.0V至5.7V 四個LDO:300mA,VIN範圍:1.9V至5.5V,VOUT範圍:0.8V至3.3V 應用 終端產品 電池和USB供電設備 智能手機 平板電腦 小型相機模塊 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 04:02 290次 閲讀
FAN53880 一個降壓 一個升壓和四個LDO PMIC

NCV5171 升壓轉換器 280 kHz 1.5 A 用於汽車

1 / 73產品是280 kHz / 560 kHz升壓調節器,具有高效率,1.5 A集成開關。該器件可在2.7 V至30 V的寬輸入電壓範圍內工作。該設計的靈活性使芯片可在大多數電源配置中運行,包括升壓,反激,正激,反相和SEPIC。該IC採用電流模式架構,可實現出色的負載和線路調節,以及限制電流的實用方法。將高頻操作與高度集成的穩壓器電路相結合,可實現極其緊湊的電源解決方案。電路設計包括用於正電壓調節的頻率同步,關斷和反饋控制等功能。這些器件與LT1372 / 1373引腳兼容,是CS5171和CS5173的汽車版本。 特性 內置過流保護 寬輸入範圍:2.7V至30V 高頻允許小組件 最小外部組件 頻率折返減少過流條件下的元件應力 帶滯後的熱關機 簡易外部同步 集成電源開關:1.5A Guarnateed 引腳對引腳與LT1372 / 1373兼容 這些是無鉛設備 用於汽車和其他應用需要站點和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽車版本 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 07-30 00:02 122次 閲讀
NCV5171 升壓轉換器 280 kHz 1.5 A 用於汽車

NCP161 LDO穩壓器 450 mA 超高PSRR 超低噪聲

是一款線性穩壓器,能夠提供450 mA輸出電流。 NCP161器件旨在滿足RF和模擬電路的要求,可提供低噪聲,高PSRR,低靜態電流和非常好的負載/線路瞬態。該器件設計用於1μF輸入和1μF輸出陶瓷電容。它有兩種厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片級封裝(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封裝。 類似產品:
發表於 07-29 21:02 247次 閲讀
NCP161 LDO穩壓器 450 mA 超高PSRR 超低噪聲

AR0521 CMOS圖像傳感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS數字圖像傳感器,有源像素陣列為2592(H)x 1944(V)。它通過滾動快門讀數捕獲線性或高動態範圍模式的圖像,幷包括複雜的相機功能,如分檔,窗口以及視頻和單幀模式。它專為低亮度和高動態範圍性能而設計,具有線路交錯T1 / T2讀出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以產生非常清晰,鋭利的數字圖像,並且能夠捕獲連續視頻和單幀,使其成為安全應用的最佳選擇。 特性 5 Mp為60 fps,具有出色的視頻性能 小型光學格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式視頻 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技術 支持線路交錯T1 / T2讀出以啓用ISP芯片中的HDR處理 支持外部機械快門 片上鎖相環(PLL)振盪器 集成顏色和鏡頭陰影校正 精確幀率控制的從屬模式 數據接口:♦HiSPi(SLVS) - 4個車道♦MIPI CSI-2 - 4車道 自動黑電平校準 高速可配置上下文切換 温度傳感器 快速模式兼容2線接口 應用 終端產品 視頻監控 高動態範圍成像 安全攝像頭 行動相機 車載DVR 電路圖、引腳圖和封裝...
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AR0521 CMOS圖像傳感器 5.1 MP 1 / 2.5