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Microchip最新Wi-Fi MCU模塊,首推Trust&Go技術,主打IIoT市場

芯鏈 2020-10-16 10:32 次閲讀

郵寄香港網報道(文/黃晶晶)美國微芯科技公司Microchip近日推出業內首款Wi-Fi單片機模塊。該模塊採用Microchip的Trust&Go技術,能實現獨特的身份驗證功能。這款型號為WFI32E01PC的Wi-Fi MCU模塊基於PIC32 單片機內核,擁有豐富的外設支持和成熟的硬件安全平台。新技術不僅能提供Wi-Fi,還能充當整個工業互聯網系統的強大單片機內核。

基於MIPS內核,工作頻率200MHz,豐富的外設

WFI32E01PC Wi-Fi MCU模塊擁有快速高效的MIPS內核,200MHz頻率,高於市面上同類產品,EEMBC CoreMark得分為710,這是獲得廣泛認可的單片機核心性能基準。
 
大量可用的GPIO,豐富的外設包括以太網CAN/CAN-FD、USB、CVD Touch。繼承了Microchip在觸摸按紐功能方面的領先優勢。
 
此外,出色的模擬性能,包括精確、高度線性的雙通道12位ADC,可重複的ADC性能,受温度變化影響最小。針對不同的干擾、温度變化仍然具有相對穩定的性能,這樣的ADC特性尤其在工業傳感器及其他工業應用上至關重要。
 
它也同時延續了Microchip一些傳統優勢,例如卓越的產品質量、支持工具和服務。

引入Trust&Go技術,支持WPA3連接,安全性高

物聯網設備連接到雲端時需要遵守Wi-Fi連接安全協議,通常是WPA2,這款模塊支持WPA3連接,這是新的Wi-Fi認證安全標準,WPA3相較於WPA2擁有更加穩健的身份驗證以防止離線攻擊等特性。

 
Microchip無線解決方案部產品線經理Alex Li解析,當設備連接到本地Wi-Fi並接通互聯網時需要增強型TLS連接,這個連接具有三個要素:一是不可變更的公共密鑰,二是隱性私密的密鑰,任何外部軟件不可看到這個密鑰,三是唯一可驗證以及可信任的設備標識。
 
這三個要素在這款模組的Trust&Go硬件加密單元都會提供。並且該模組已經涵蓋設備標識和加密認證,預設在亞馬遜雲、谷歌雲和微軟Azure上面。

一個Wi-Fi+MCU模組搞定,無需外搭主MCU

Wi-Fi MCU在智能家居、工業物聯網等領域廣泛應用,但往往單個模組功能有限,需要額外搭配主單片機進行工作,它們之間再通過SPI或UART接口協議連接。
 

 
Alex分析,這樣的設計面臨一些挑戰,首先Wi-Fi模塊和主單片機之間的連接本身限制了Wi-Fi的速度。尤其是很多設計使用UART,好處是簡單,但速度有限。
 
其次,這兩個結構會增加設計和生產過程的複雜度和風險。客户需要花更多時間進行驅動程序開發,並學習使用不同的軟件開發工具。另外,不同生產商的生產進度不一致,供貨保障不一,從而產生供應鏈風險。
 
此外,還需要多個技術支持。而網絡安全方面,主單片機與互聯網連接的相關安全密鑰和身份認證儲存在閃存內,網絡攻擊通過閃存將物聯網設備所需的一切認證,複製到自己的設備上,然後冒充該產品連接到雲端,這是一個很大的安全漏洞。
 
基於以上考慮,WFI32E01PC可以單個Wi-Fi MCU模塊,代替Wi-Fi MCU再加主MCU的方案,更簡潔更安全。

軟件工具及未來產品規劃


 
Microchip為客户提供無代碼的Wi-Fi局域網開發框架,方便客户在其開發環境上填寫參數和進行簡單的選項設置即可實現Wi-Fi連接。提供豐富的示例應用,軟件SDK上提供所有MCU驅動,軟件庫還提供其他外圍產品的驅動,是一整套系統解決方案。以上可令用户開發簡單。
 
軟件庫還具有強大的功能,提供無線局域網具有的先進Wi-Fi功能和各種類型的網絡協議棧。以及提供Wi-Fi互操作性測試。Microchip已經跟53個市面上很受歡迎的路由器做過測試,並且涵蓋了非常廣範圍的Wi-Fi的access point芯片。
 
技術支持方面,Microchip提供MPLAB開發環境和MPLAB Harmony軟件工具,包括軟件庫、驅動以及示例程序。還提供專業的調試工具,例如ICD3、ICD4、SNAP。幫助客户進行射頻信號測試和產品的合規性測試。以及幫助客户調試觸摸按鈕等外設的性能。

目前這款模組還不支持Wi-Fi 6,不過,Alex表示,Microchip已經在研發之中,並已有清晰的計劃支持Wi-Fi 6。隨着物聯網從家庭自動化領域拓展到如供暖、通風與空調(HVAC)、車庫門和電風扇等家庭控制領域,以及在建築和工業自動化領域的加速應用,市場對高度集成、可靠和安全的工業物聯網(IIoT)連接性的需求前所未有地增加。除工業應用外,WFI32E01PC還適用於家庭自動化設備、計算和消費產品。
 

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信息 TP5322是一款低閾值增強型(常關)晶體管,採用先進的垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速的各種開關和放大應用需要切換速度。 高輸入阻抗 低閾值(最高-2.4V) 低輸入電容(最大110pF) 快速切換速度 低導通電阻 低輸入和輸出泄漏 免於二次故障 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:04 83次 閲讀
TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,15歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.0V) 高阻抗 低輸入電容 快速切換速度 低導通電阻 免於中學故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,15歐姆

TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,25歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值為60pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,25歐姆

TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

信息 TP5335是一款低閾值增強型(常關)晶體管,採用先進的垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速的各種開關和放大應用需要切換速度。 高輸入阻抗和高增益 低功率驅動器要求 Ease of並聯 低連續供電和快速切換速度 出色的熱穩定性 整體式源極 - 漏極二極管 免於二次故障 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,25歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值為60pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,25歐姆

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.0V) 高阻抗 低輸入電容 快速切換速度 低導通電阻 免於中學故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-240V,8歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值 高輸入阻抗 低輸入電容 快速切換速度 免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-240V,8歐姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,6.0歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 高輸入阻抗和高增益 低功率驅動要求 &nbsp ; 易於並聯 低CISS和快速切換速度 卓越的熱穩定性 整體來源 - 二極管 免於二次故障 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:03 60次 閲讀
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,6.0歐姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值 高輸入阻抗 低輸入電容 快速切換速度 免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值為85pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:03 72次 閲讀
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-20V,2.0歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,並具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:03 74次 閲讀
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-20V,2.0歐姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,2.0歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管採用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極製造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正温度係數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用於極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值95pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免於二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:03 218次 閲讀
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,2.0歐姆

TC1321 TC1321是一個可串行訪問的10位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓範圍為羣

信息 TC1321是一個可串行訪問的10位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓範圍從地到外部提供的參考電壓。它採用2.7V至5.5V的單電源供電,非常適合各種應用。內置於器件中的是上電覆位功能,可確保器件在已知條件下啓動。與TC1321的通信通過簡單的2線SMBus / I2C™兼容串行端口實現,TC1321僅作為從機設備。主機可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位來激活低功耗待機模式。 10位數模轉換器 2.7 -5.5V單電源供電。 簡單SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA關斷。< / p> Monotonicity Ensured。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:02 150次 閲讀
TC1321 TC1321是一個可串行訪問的10位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓範圍為羣

TC1320 TC1320是一個串行可訪問的8位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓範圍為地面

信息 TC1320是一個串行可訪問的8位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓範圍從地到外部提供的參考電壓。它採用2.7V至5.5V的單電源供電,非常適合各種應用。內置於器件中的是上電覆位功能,可確保器件在已知條件下啓動。通過簡單的2線SMBus / I2C™兼容串行端口與TC1320進行通信,TC1320僅作為從機設備。主機可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位來激活低功耗待機模式。 8位數模轉換器 2.7 -5.5V單電源供電 簡單SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA關斷 8引腳SOIC和8引腳MSOP封裝 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 20:02 110次 閲讀
TC1320 TC1320是一個串行可訪問的8位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓範圍為地面

TC7650 TC7650 CMOS斬波穩定運算放大器實際上消除了系統誤差計算中的偏移電壓誤差項。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斬波穩定運算放大器實際上消除了系統誤差計算中的偏移電壓誤差項。例如,5uV最大VOS規格比行業標準OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移規格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,週期性電位器調整以及修剪器損壞引起的可靠性問題。無需額外的製造複雜性和激光或“齊納擊穿”VOS微調技術所帶來的成本,即可實現TC7650的性能優勢。 TC7650歸零方案通過温度校正DC VOS誤差和VOS漂移誤差。歸零放大器交替校正其自身的VOS誤差和主放大器VOS誤差。失調歸零電壓存儲在兩個用户提供的外部電容上。電容連接到內部放大器VOS零點。主放大器輸入信號從不切換。 TC7650輸出端不存在開關尖峯。 14引腳雙列直插式封裝(DIP)具有外部振盪器輸入,用於驅動歸零電路以獲得最佳噪聲性能。 8引腳和14引腳DIP均具有輸出電壓鉗位電路,可最大限度地減少過載恢復時間。 低偏移和偏移漂移的零漂移架構 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 寬工作電壓範圍,4.5V至16V 單一和拆分供應 No 1 / f Noise 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 19:07 140次 閲讀
TC7650 TC7650 CMOS斬波穩定運算放大器實際上消除了系統誤差計算中的偏移電壓誤差項。 5V最大值

TC7652 400 kHz,單零漂移運算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪聲版本,犧牲了一些輸入規格(偏置電流和帶寬)以實現噪聲降低10倍。存在斬波技術的所有其他益處,即,不受外部調整部件的偏移調整,漂移和可靠性問題的影響。與TC7650一樣,TC7652僅需要兩個非關鍵的外部電容來存儲斬波的零電位。沒有明顯的斬波峯值,內部影響或超量程鎖定問題。 漂移操作電壓:5到16 單一和分離供應 低噪音 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表於 04-18 19:07 159次 閲讀
TC7652 400 kHz,單零漂移運算放大器